SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共12条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/397  |  提交时间:2012/07/17
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/306  |  提交时间:2012/09/09
减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  王良臣;  刘志强;  季安;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/138  |  提交时间:2011/08/31
用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  冉军学;  胡强;  梁勇;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(1437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:648/42  |  提交时间:2014/10/31
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/100  |  提交时间:2014/10/31
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:736/115  |  提交时间:2014/10/31
氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/114  |  提交时间:2014/10/31
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:  李盼盼;  李鸿渐;  张逸韵;  李志聪;  梁萌;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:569/75  |  提交时间:2014/10/29
用玻璃片组提高半导体激光叠阵快轴方向填充系数的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人:  林学春;  郭渭荣;  侯玮;  陈凯;  王宝华;  梁浩;  王祥鹏;  李晋闽
Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/89  |  提交时间:2014/10/28
用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  冉军学;  胡强;  胡国新;  梁勇;  熊衍凯;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:624/77  |  提交时间:2014/12/25