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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜 Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/397  |  提交时间:2012/07/17 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 减少激光剥离损伤的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/138  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:648/42  |  提交时间:2014/10/31 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/100  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:736/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/114  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:569/75  |  提交时间:2014/10/29 |
| 用玻璃片组提高半导体激光叠阵快轴方向填充系数的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24 发明人: 林学春; 郭渭荣; 侯玮; 陈凯; 王宝华; 梁浩; 王祥鹏; 李晋闽 Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/89  |  提交时间:2014/10/28 |
| 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:624/77  |  提交时间:2014/12/25 |