中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1341/221  |  提交时间：2011/08/31
采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078864.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  林学春;  韩培德;  王宝华
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1295/237  |  提交时间：2011/08/31
一种制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078865.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  梁松;  韩培德;  林学春;  王宝华
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1350/220  |  提交时间：2011/08/31
砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  梁德春;  李新坤;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(1964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1390/193  |  提交时间：2012/09/09