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双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 824-830
Authors:  昝育德;  王俊;  李瑞云;  韩秀峰;  王建华;  于芳;  刘忠立;  王玉田;  王占国;  林兰英
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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
Authors:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
Authors:  冯淦;  郑新和;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾;  郑文莉;  贾全杰
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
Authors:  渠波;  李顺峰;  胡国新;  郑新和;  王玉田;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
Authors:  成步文;  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  张春晖;  王玉田;  余金中;  王启明
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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 43
Authors:  王健华;  金峰;  俞谦;  孙可;  李德杰;  蔡丽红;  黄绮;  周钧铭;  王玉田;  庄岩
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InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究 期刊论文
物理学报, 1996, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 274
Authors:  俞谦;  王健华;  李德杰;  王玉田;  庄岩;  姜炜;  黄绮;  周钧铭
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超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算 期刊论文
发光学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 153
Authors:  郑联喜;  王玉田;  庄岩;  邓礼生;  肖智博;  胡雄伟;  梁骏吾
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LP-MOVPE Ga(1-x) InxAs/InP量子阱结构材料 期刊论文
半导体学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 9, 页码: 578
Authors:  段树坤;  熊飞克;  李学斌;  李晶;  王玉田;  江德生;  徐俊英;  万寿科;  钱家骏
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