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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈俊;  许金通;  李雪;  陈亮;  赵德刚;  李向阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏志国;  许金通;  陈俊;  李向阳;  刘骥;  赵德刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YJ;  Xu SJ;  Li Q;  Zhao DG;  Yang H;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1295/479  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张燕;  龚海梅;  白云;  陈亮;  许金通;  汤英文;  游达;  赵德刚;  郭丽伟;  李向阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李向阳;  许金通;  汤英文;  李雪;  张燕;  龚海梅;  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冯志宏;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  王海;  段俐宏
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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Cubic Gan  Buffer Layer  Atomic Force Microscopy  Reflection High-energy Electron Diffraction  Movpe