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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang X (Huang X.);  Zhang XH (Zhang X. H.);  Zhu YG (Zhu Y. G.);  Li T (Li T.);  Han LF (Han L. F.);  Shang XJ (Shang X. J.);  Ni HQ (Ni H. Q.);  Niu ZC (Niu Z. C.);  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Y (Liu Y.);  Cheng F (Cheng F.);  Li XJ (Li X. J.);  Peeters FM (Peeters F. M.);  Chang K (Chang Kai);  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang X;  Zhang XH;  Zhu YG;  Li T;  Han LF;  Shang XJ;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li T;  Zhang XH;  Zhu YG;  Huang X;  Han LF;  Shang XJ;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国余;  张冶金;  李小健;  田立林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu Y;  Xu;  XJ;  Li ZY;  Zhou L;  Han WH;  Fan ZC;  Yu;  YD;  Yu JZ;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jzyu@semi.ac.cn
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