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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
Inventors:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337
Authors:  何金孝;  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平;  李晋闽
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用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1164/233  |  Submit date:2009/06/11
一种有机材料升华提纯装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
Accomplishers:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
Favorite  |  View/Download:1570/0  |  Submit date:2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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