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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fang C (Fang Cheng); Wang ZG (Wang Zhi-Gang); Li SS (Li Shu-Shen); Zhang P (Zhang Ping); Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang-ping@iap.cm.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji Gang; Sun Guosheng; Liu Xingfang; Wang Lei; Zhao Wanshun; Zeng Yiping; Li Jinmin
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yuan ZG (Yuan Zi-Gang); Zhang P (Zhang Ping); Li SS (Li Shu-Shen); Yuan, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang BY (Zhang Bingyuan); Li G (Li Gang); Chen M (Chen Meng); Wang GJ (Wang Guoju); Wang YG (Wang Yonggang); Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: bingyuanzhang@yahoo.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 仲莉; 王俊; 冯小明; 王勇刚; 王翠鸾; 韩琳; 崇锋; 刘素平; 马骁宇
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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇
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