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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang EX;  Sun JY;  Chen J;  Chen M;  Zhang ZX;  Li N;  Zhang GQ;  Wang X;  Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. E-mail: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials 会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Pacific Grove, CA, SEP 05-10, 2004
作者:  Zhang EX;  Sun JY;  Chen J;  Chen M;  Zhang ZX;  Li N;  Zhang GQ;  Wang X;  Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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Nitrogen