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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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