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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding K; Zeng YP; Duan RF; Wei XC; Wang JX; Ma P; Lu HX; Cong PP; Li JM; Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dingkai@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wei XC; Huo ZQ; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张爽; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 王玉田; 段俐宏; 刘文宝; 江德生; 杨辉
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| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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