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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ning Zhuo; Jin-Chuan Zhang; Feng-Jiao Wang; Ying-Hui Liu; Shen-Qiang Zhai; Yue Zhao; Dong-Bo Wang; Zhi-Wei Jia; Yu-Hong Zhou; Li-Jun Wang; Jun-Qi Liu; Shu-Man Liu; Feng-Qi Liu; Zhan-Guo Wang; Jacob B. Khurgin; and Greg Sun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding F (Ding F.); Akopian N (Akopian N.); Li B (Li B.); Perinetti U (Perinetti U.); Govorov A (Govorov A.); Peeters FM (Peeters F. M.); Bufon CCB (Bufon C. C. Bof); Deneke C (Deneke C.); Chen YH (Chen Y. H.); Rastelli A (Rastelli A.); Schmidt OG (Schmidt O. G.); Zwiller V (Zwiller V.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王彩凤; 李清山; 胡波; 梁德春
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王彩凤; 李清山; 胡波; 梁德春
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
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