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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu XN (Hu Xue-Ning);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Hu, XN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李新奇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡学宁;  李新奇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李树深;  李新奇;  岑理相;  王亮;  艾合买提;  金光生;  白彦魁;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  杨海峰;  杨辉;  林耀望;  张泽;  李新峰;  周增圻
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王敬;  屠海令;  刘安生;  张椿;  周旗钢;  朱悟新;  高文;  李建明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  周增圻;  林耀望;  李新峰;  张益;  胡雄伟;  吕振东;  袁之良;  徐仲英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宝骐;  季明荣;  吴建新;  许振嘉;  阎江
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