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| 半导体激光器热沉管道 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 王大拯; 王翠鸾; 仲莉; 韩淋; 崇峰; 史慧玲; 王冠; 胡理科; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1387/217  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1177/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1077/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1187/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 反馈型全差分调制器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李霄鹍; 石寅 Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:879/137  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1107/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1088/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 全集成高线性三角波发生器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李霄鹍; 石寅; 刘忠立 Adobe PDF(415Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1089/167  |  提交时间:2009/06/11 |