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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F;  Jiao HJ;  Luo JY;  Li XQ;  Gurvitz SA;  Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn;  lixinqi@bnu.edu.cn;  shmuel.gurvitz@weizmann.ac.il
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao HJ;  Li F;  Wang SK;  Li XQ;  Jiao HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F;  Jiao HJ;  Wang H;  Luo JY;  Li XQ;  Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo JY;  Jiao HJ;  Li F;  Li XQ;  Yan YJ;  Luo JY Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Chem Kowloon Hong Kong Peoples R China. Funding Agency Grant Number
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Xiang HJ;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li JB;  Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李俊一;  安俊明;  吴远大;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  安俊明;  李建光;  王玥;  尹小杰;  张家顺;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈少武;  余金中;  徐学俊;  黄庆忠;  余和军;  屠晓光;  李运涛
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紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
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