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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YW;  Zhang, Y;  Guan, M;  Cui, LJ;  Li, YB;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, JD;  Wang, XL;  Wang, Q;  Qu, SQ;  Xiao, HL;  Peng, EC;  Kang, H;  Wang, CM;  Feng, C;  Yin, HB;  Jiang, LJ;  Li, BQ;  Wang, ZG;  Hou, X
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chu XB (Chu, Xinbo);  Guan M (Guan, Min);  Li LS (Li, Linsen);  Zhang Y (Zhang, Yang);  Zhang F (Zhang, Feng);  Li YY (Li, Yiyang);  Zhu ZP (Zhu, Zhanping);  Wang BQ (Wang, Baoqiang);  Zeng YP (Zeng, Yiping)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, YB;  Zhang, Y;  Zhang, YW;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guan M (Guan Min);  Li LS (Li LinSen);  Cao GH (Cao GuoHua);  Zhang Y (Zhang Yang);  Wang BQ (Wang BaoQiang);  Chu XB (Chu Xinbo);  Zhu ZP (Zhu ZhanPing);  Zeng YP (Zeng YiPing)
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
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一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
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