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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1412/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李丙乾; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(518Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/134  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔利杰; 曾一平; 王保强; 朱战平 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1278/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双环结构微纳生物传感器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 苏保青; 王春霞; 阚强; 李俊华; 解意洋; 王真真; 陈弘达 Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/277  |  提交时间:2012/09/09 |
| 基于相位检测的表面等离子体共振传感装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 陈弘达; 李俊华; 阚强; 王春霞; 苏保青; 解意洋; 王真真 Adobe PDF(539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1362/251  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:385/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:423/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 测量土壤含水量和温度的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王志勇; 丁时栋; 李贵柯; 吴南健; 赵柏秦 Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:424/1  |  提交时间:2016/09/28 |
| 户外免维护多功能无线传感器网络网关 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 谢刚; 丁时栋; 李贵柯; 赵柏秦; 吴南健 Adobe PDF(747Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:390/1  |  提交时间:2016/09/28 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:460/3  |  提交时间:2016/09/28 |