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金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
Inventors:  段瑞飞;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
Authors:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 902-908
Authors:  马平;  魏同波;  段瑞飞;  王军喜;  李晋闽;  曾一平
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MOCVD生长GaN力学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
Authors:  魏同波;  王军喜;  李晋闽;  刘酷;  段瑞飞
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  丁凯;  张连;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  冉军学;  胡国新;  羊建坤;  梁勇;  路红喜;  李晋闽
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