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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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21<\/SUP> to calculate the optical properties.","jscount":"1","jsurl":"/simple-search?field1=dc.contributor.author&rpp=10&accurate=false&advanced=false&fq=location.comm.id%3A24&sort_by=2&isNonaffiliated=false&search_type=-1&query1=LI%2BPeng&order=desc&&fq=dc.project.fundingorganization_filter%3AChinese%5C+Academy%5C+of%5C+Sciences%5C+%5C+%5C+%5C+J.L.%5C+gratefully%5C+acknowledges%5C+financial%5C+support%5C+from%5C+the%5C+%5C%22One%5C-hundred%5C+Talents%5C+Plan%5C%22%5C+of%5C+the%5C+Chinese%5C+Academy%5C+of%5C+Sciences.%5C+We%5C+also%5C+acknowledge%5C+Jurgen%5C+Furthmuller%5C+for%5C+utilizing%5C+his%5C+code%3CSUP%3E21%3C%5C%2FSUP%3E%5C+to%5C+calculate%5C+the%5C+optical%5C+properties."},{"jsname":"Chinese Academy of Sciences National Natural Science Foundation of China 60521001 60776061J.L. gratefully acknowledges financial support from \"One-hundred Talents Plan\" of the Chinese Academy of Sciences. This work was supported by the National Natural Science Foundation of China under Grants 60521001 and 60776061.","jscount":"1","jsurl":"/simple-search?field1=dc.contributor.author&rpp=10&accurate=false&advanced=false&fq=location.comm.id%3A24&sort_by=2&isNonaffiliated=false&search_type=-1&query1=LI%2BPeng&order=desc&&fq=dc.project.fundingorganization_filter%3AChinese%5C+Academy%5C+of%5C+Sciences%5C+%5C+%5C+%5C+National%5C+Natural%5C+Science%5C+Foundation%5C+of%5C+China%5C+%5C+60521001%5C+60776061J.L.%5C+gratefully%5C+acknowledges%5C+financial%5C+support%5C+from%5C+%5C%22One%5C-hundred%5C+Talents%5C+Plan%5C%22%5C+of%5C+the%5C+Chinese%5C+Academy%5C+of%5C+Sciences.%5C+This%5C+work%5C+was%5C+supported%5C+by%5C+the%5C+National%5C+Natural%5C+Science%5C+Foundation%5C+of%5C+China%5C+under%5C+Grants%5C+60521001%5C+and%5C+60776061."},{"jsname":"Hong Kong Univ Sci & Technol.","jscount":"1","jsurl":"/simple-search?field1=dc.contributor.author&rpp=10&accurate=false&advanced=false&fq=location.comm.id%3A24&sort_by=2&isNonaffiliated=false&search_type=-1&query1=LI%2BPeng&order=desc&&fq=dc.project.fundingorganization_filter%3AHong%5C+Kong%5C+Univ%5C+Sci%5C+%5C%26%5C+Technol."},{"jsname":"IEEE Solid State Circuits Soc.; IEEE Electron Decices Soc.","jscount":"1","jsurl":"/simple-search?field1=dc.contributor.author&rpp=10&accurate=false&advanced=false&fq=location.comm.id%3A24&sort_by=2&isNonaffiliated=false&search_type=-1&query1=LI%2BPeng&order=desc&&fq=dc.project.fundingorganization_filter%3AIEEE%5C+Solid%5C+State%5C+Circuits%5C+Soc.%5C%3B%5C+IEEE%5C+Electron%5C+Decices%5C+Soc."},{"jsname":"Mat Res Soc.; Evident Technol Inc.; IBM TJ Watson Res Ctr.; Los Alamos Natl Lab.; Motorola Inc.; Texas A&M Univ.","jscount":"1","jsurl":"/simple-search?field1=dc.contributor.author&rpp=10&accurate=false&advanced=false&fq=location.comm.id%3A24&sort_by=2&isNonaffiliated=false&search_type=-1&query1=LI%2BPeng&order=desc&&fq=dc.project.fundingorganization_filter%3AMat%5C+Res%5C+Soc.%5C%3B%5C+Evident%5C+Technol%5C+Inc.%5C%3B%5C+IBM%5C+TJ%5C+Watson%5C+Res%5C+Ctr.%5C%3B%5C+Los%5C+Alamos%5C+Natl%5C+Lab.%5C%3B%5C+Motorola%5C+Inc.%5C%3B%5C+Texas%5C+A%5C%26M%5C+Univ."},{"jsname":"One-Hundred Talent Plan of the Chinese Academy of Sciences；National Science Fund for Distinguished Young Scholars 60925016；National High Technology Research and Development program of China 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252 6）资助项目,国家自然科学基金（19834 8 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作者降序
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减小温度梯度的激光晶体
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:
李晋闽
;
林学春
;
熊 波
;
侯 玮
;
郭 林
;
赵鹏飞
;
韩泽华
;
李瑞贤
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提交时间：2010/08/12
An Ultra Low Power Non-volatile Memory in Standard CMOS Process for Passive RFID Tags
会议论文
PROCEEDINGS OF THE IEEE 2009 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE: 713-716 2009, San Jose, CA, 2009
作者:
Feng P (Feng Peng)
;
Li YL (Li Yunlong)
;
Wu NJ (Wu Nanjian)
;
Feng, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nanjian@red.semi.ac.cn
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浏览/下载：1479/360
|
提交时间：2010/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng HW
;
Li JB
;
Li SS
;
Xia JB
;
Peng HW Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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|
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|
浏览/下载：1617/632
|
提交时间：2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng HW
;
Xiang HJ
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
;
Li JB
;
Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov
;
jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(272Kb)
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浏览/下载：1186/464
|
提交时间：2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gai YQ(盖艳琴)
;
Peng HW(彭浩为)
;
Li JB(李京波)
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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浏览/下载：992/333
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提交时间：2010/04/04
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期刊论文
作者:
张雪
;
赵鹏飞
;
李强
;
刘波
;
马建军
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|
浏览/下载：808/236
|
提交时间：2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张曾
;
张荣
;
谢自力
;
刘斌
;
修向前
;
李弋
;
傅德颐
;
陆海
;
陈鹏
;
韩平
;
郑有炓
;
汤晨光
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(468Kb)
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|
浏览/下载：1576/348
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提交时间：2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王翠鸾
;
韩淋
;
吴芃
;
刘媛媛
;
李伟
;
冯小明
;
王勇刚
;
刘素平
;
马骁宇
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浏览/下载：1236/377
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提交时间：2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, HW
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(759Kb)
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浏览/下载：1422/619
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提交时间：2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, HW
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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浏览/下载：2511/1153
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提交时间：2010/03/08
