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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王俊;  白一鸣;  崇锋;  熊聪;  仲莉;  韩淋;  王翠鸾;  冯小明;  刘媛媛;  刘素平;  马骁宇
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集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张峰;  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  闫果果;  曾一平
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一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  闫果果;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  曾一平
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一种原子层沉积设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  赵万顺;  张峰;  王雷;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1470/130  |  提交时间:2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:832/125  |  提交时间:2014/10/31
碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  董林;  孙国胜;  赵万顺;  王雷;  刘兴昉;  刘斌;  张峰;  闫果果;  郑柳;  刘胜北
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:870/120  |  提交时间:2014/10/29