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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WR;  Zhao, JF;  Long, M;  Zhang, XW;  Liu, QS;  Hou, MY;  Kang, Q;  Wang, YR;  Xu, SH;  Kong, WJ;  Zhang, H;  Wang, SF;  Sun, YQ;  Hang, HY;  Huang, YP;  Cai, WM;  Zhao, Y;  Dai, JW;  Zheng, HQ;  Duan, EK;  Wang, JF
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, L;  Zhang, Y;  Gui, MY;  Lu, PZ;  Zhao, LX;  Tian, S;  Kong, YF;  Xu, JJ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Y;  Liao MY;  Kohler T;  Frauenheim T;  Zhang RQ;  Wang ZG;  Lifshitz Y;  Lee ST;  Yao, Y, City Univ Hong Kong, Ctr Super Diamond & Adv Films, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: apshay@cityu.edu.hk
Adobe PDF(306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：974/284  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao, Y;  Liao, MY;  Wang, ZG;  Lifshitz, Y;  Lee, ST;  Lee, ST, City Univ Hong Kong, Ctr Super Diamond & Adv Films COSDAF, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: apannale@cityu.edu.hk
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：765/268  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1175/511  |  提交时间：2010/08/12
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1693/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(187Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1219/345  |  提交时间：2010/11/15
Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress  
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(148Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1244/394  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1496/426  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1452/521  |  提交时间：2010/08/12