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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1145/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1056/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:982/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 变温霍尔实验仪 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于耀川; 徐寿定; 范东华; 胡长有; 周仁楷; 李瑞云; 李平江 Adobe PDF(126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1109/145  |  提交时间:2009/06/11 |
| 紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102141736A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑凯; 赵懿昊; 李全宁; 熊聪 Adobe PDF(872Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1743/412  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1552/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1489/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于记录神经活动电信号的柔性探针电极及其植入工具 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231148.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 陈弘达; 李晓倩; 裴为华; 郭凯; 王宇 Adobe PDF(594Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/169  |  提交时间:2011/08/30 |