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降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163804A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  祁琼;  熊聪;  王俊;  郑凯;  刘素平;  马骁宇
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半导体激光二极管发光单元及器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130423A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑凯;  王俊;  熊聪;  马骁宇
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硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
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