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采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  王俊;  白一鸣;  崇锋;  熊聪;  仲莉;  韩淋;  王翠鸾;  冯小明;  刘媛媛;  刘素平;  马骁宇
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