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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Pan SH;  Li YG;  Zhang CZ;  Wang ZG;  Jin, P, Nankai Univ, Dept Phys, Tianjin 300071, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: wangyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1181/262  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin P;  Zhao FA;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangchl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Wang ZG;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Jin P;  Li RY;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Zhang CL;  Jin P;  Shi GX;  Zhao C;  Xu B;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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