|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Haichao Yu; Kuankuan Ren; Qiang Wu; Jian Wang; Jie Lin; Zhijie Wang; Jingjun Xu; Rupert F. Oulton; Shengchun Qu; Peng Jin
 Adobe PDF(2885Kb) |  收藏 | 浏览/下载：258/2 | 提交时间：2017/03/10 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi K (Shi K.); Zhang PF (Zhang P. F.); Wei HY (Wei H. Y.); Jiao CM (Jiao C. M.); Jin P (Jin P.); Liu XL (Liu X. L.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(571Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1208/406 | 提交时间：2012/02/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Dong JJ (Dong J. J.); Zhang XW (Zhang X. W.); You JB (You J. B.); Cai PF (Cai P. F.); Yin ZG (Yin Z. G.); An Q (An Q.); Ma XB (Ma X. B.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.); Chu PK (Chu Paul K.); Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(547Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1463/443 | 提交时间：2010/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan FR (Tan Furui); Qu SC (Qu Shengchun); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Zhang CS (Zhang Changsha); Shi MJ (Shi Mingji); Wang ZJ (Wang Zhijie); Jin L (Jin Lan); Bi Y (Bi Yu); Cao J (Cao Jie); Wang ZG (Wang, Zhanguo); Hou YB (Hou Yanbing); Teng F (Teng Feng); Feng ZH (Feng, Zhihui); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
Adobe PDF(1959Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1572/377 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.); Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. mengxq@whu.edu.cn
Adobe PDF(226Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1085/154 | 提交时间：2010/12/28 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏 ; 刘峰奇; 王占国
Adobe PDF(4447Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1225/119 | 提交时间：2011/08/16 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
Adobe PDF(377Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1559/255 | 提交时间：2011/08/31 |
| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
Adobe PDF(244Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1215/204 | 提交时间：2011/08/31 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
Adobe PDF(285Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1348/221 | 提交时间：2011/08/31 |
| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
Adobe PDF(242Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1596/254 | 提交时间：2011/08/31 |
