中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1334/232  |  提交时间：2010/03/19
一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1364/265  |  提交时间：2010/03/19
单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1344/211  |  提交时间：2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1544/269  |  提交时间：2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1171/201  |  提交时间：2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1523/272  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY (Zhang Jiang-Yong);  Cai LE (Cai Li-E);  Zhang BP (Zhang Bao-Ping);  Hu XL (Hu Xiao-Long);  Jiang F (Jiang Fang);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn;  qmwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1021/314  |  提交时间：2010/03/08