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Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结二维电子气输运特性研究 学位论文
, 北京: 清华大学, 2014
作者:  金东东
Adobe PDF(6195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1099/66  |  提交时间：2014/06/05
异质结  二维电子气  输运  散射  Ⅲ-ⅴ族半导体  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, HJ;  Liu, CB;  Liu, GP;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Wang, JX;  Zhang, H;  Jin, DD;  Feng, YX;  Yang, SY;  Wang, LS;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(1080Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/78  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, DD;  Wang, LS;  Yang, SY;  Zhang, LW;  Li, HJ;  Zhang, H;  Wang, JX;  Xiang, RF;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：556/118  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, H;  Yang, SY;  Liu, GP;  Wang, JX;  Jin, DD;  Li, HJ;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：570/127  |  提交时间：2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HJ (Li, Huijie);  Liu XL (Liu, Xianglin);  Wang JX (Wang, Jianxia);  Jin DD (Jin, Dongdong);  Zhang H (Zhang, Heng);  Yang SY (Yang, Shaoyan);  Liu SM (Liu, Shuman);  Mao W (Mao, Wei);  Hao Y (Hao, Yue);  Zhu QS (Zhu, QinSheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：635/1  |  提交时间：2016/09/12