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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Jahn U (Jahn U.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Qiu YX (Qiu Y. X.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
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Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  孙苋;  刘文宝;  朱建军;  江德生;  王辉;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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