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| 高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 唐健
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖梅勇; 张键辉; 秦复光; 刘志凯; 杨少延 ; 王占国; 李述汤
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵玉成; 李唐军; 简水生; 祝亚琴; 张静媛; 韩勤; 王圩
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| 超晶格电子态理论 成果
1990
主要完成人: 夏建白; 黄昆; 朱邦芬; 汤惠
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超晶格 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江德生; 汤寅生; 夏建白
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