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对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人:  谭平恒;  张俊;  赵建华;  姬扬;  赵伟杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨威;  姬扬;  罗海辉;  阮学忠;  王玮竹;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z.M.Wang;  G.J.Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周蓉;  孙宝权;  阮学忠;  甘华东;  姬扬;  王玮竹;  赵建华
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变温显微磁光光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  郑厚植;  李桂荣;  章昊;  姬杨;  甘华东;  朱汇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Zheng);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Ji, Y (Ji, Yang);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Wang, BR (Wang, B. R.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙征;  徐仲英;  阮学忠;  姬扬;  孙宝权;  倪海桥
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation