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| 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 石明吉; 曾湘波; 张长沙; 刘石勇; 彭文博; 肖海波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen L (Chen L.); Yan S (Yan S.); Xu PF (Xu P. F.); Lu J (Lu J.); Deng JJ (Deng J. J.); Ji Y (Ji Y.); Wang KY (Wang K. Y.); Zhao JH (Zhao J. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo J (Luo J.); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Shen C (Shen C.); Zhang H (Zhang H.); Zhu K (Zhu K.); Zhu H (Zhu H.); Liu J (Liu J.); Li GR (Li G. R.); Ji Y (Ji Y.); Zhao JH (Zhao J. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.); Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo J (Luo Jing); Zheng HZ (Zheng HouZhi); Shen C (Shen Chao); Zhang H (Zhang Hao); Zhu K (Zhu Ke); Zhu; H (Zhu Hui); Liu J (Liu Jian); Li GR (Li GuiRong); Ji Y (Ji Yang); Zhao JH (Zhao JianHua); Zheng, HZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hzzheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu B (Zhu Bin); Han Q (Han Qin); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He JF (He Ji-Fang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang X (Wang Xin); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Wang J (Wang Jie); Zhu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhubin@semi.ac.cn
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| 基于横向外延生长的GaN LED 特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王良吉
Adobe PDF(5175Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1457/165 | 提交时间：2010/06/13 |
| 高功率GaN基激光器列阵的工艺制作和特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 季莲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang XY (Zhang Xinyu); Li H (Li Hui); Liu K (Liu Kan); Luo J (Luo Jun); Xie CS (Xie Changsheng); Ji A (Ji An); Zhang TX (Zhang Tianxu); Zhang, XY, Huazhong Univ Sci & Technol, Wuhan Natl Lab Optoelect, Wuhan 430074, Hubei Province, Peoples R China. 电子邮箱地址: x_yzhang@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 姬小利
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