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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体集成技术工程... [12]
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专利 [10]
学位论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2017 [1]
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中文 [3]
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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无权访问的条目
学位论文
作者:
陈泽基
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提交时间:2021/06/17
无权访问的条目
学位论文
作者:
赵继聪
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浏览/下载:308/4
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提交时间:2017/05/31
相变存储器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马慧莉
;
王晓峰
;
张加勇
;
程凯芳
;
王晓东
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(478Kb)
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浏览/下载:1501/248
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提交时间:2011/08/31
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(890Kb)
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浏览/下载:760/86
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提交时间:2014/10/29
与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(767Kb)
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浏览/下载:561/96
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提交时间:2014/10/31
一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
黄亚军
;
樊中朝
;
王莉
;
季安
Adobe PDF(278Kb)
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浏览/下载:887/103
  |  
提交时间:2014/11/05
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(708Kb)
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浏览/下载:757/124
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提交时间:2014/10/31
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:
何志
;
张峰
;
樊中朝
;
赵咏梅
;
孙国胜
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:742/98
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提交时间:2014/10/29
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(1522Kb)
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浏览/下载:570/66
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提交时间:2014/12/25
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
王进泽
;
杨香
;
颜伟
;
刘胜北
;
赵继聪
;
何志
;
王晓东
;
杨富华
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提交时间:2016/08/30