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氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  朱建军
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空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  朱建军;  杨 辉;  王怀兵 
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提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
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一种制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  种明;  朱建军;  杨辉
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3C-SiC/Si材料的生长及其质量表征方法的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
作者:  朱建军
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