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半导体材料的电子结构及磁性的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  邓惠雄
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MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用 成果
1994
主要完成人:  杨辉;  梁骏吾;  邓礼生;  郑联喜;  胡雄伟
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Mocvd