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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XM;  Zhang H;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Liu J;  Zheng HZ;  Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐云;  陈良惠;  李玉璋;  曹青;  宋国峰;  郭良
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红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐云;  陈良惠;  张玉芳;  宋国峰;  李玉璋;  种明;  郑婉华;  曹青
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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  陈慧娟;  彭震宇;  鲁正雄;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, NH (Zhu, Ning Hua);  Hou, GH (Hou, Guang Hui);  Huang, HP (Huang, Heng Pei);  Xu, GZ (Xu, Gui Zhi);  Zhang, T (Zhang, Tao);  Liu, Y (Liu, Yu);  Zhu, HL (Zhu, Hong Liang);  Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan);  Wang, W (Wang, Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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