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| 一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 陈弘达; 黄北举 ; 张 旭
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| SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 陈弘达; 黄北举; 董 赞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang Beiju; Zhang Xu; Chen Hongda
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| 双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘海军; 顾明
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| 三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘金彬; 顾明; 刘海军
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| CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举
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| 采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举
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| 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 顾明; 刘海军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang Beiju; Chen Hongda; Liu Jinbin; Gu Ming; Liu Haijun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘海军; 高鹏; 陈弘达; 顾明; 许奇明; 刘金彬; 黄北举
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