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作者:  Yu, Zhi-Guo;  Zhao, Li-Xia;  Wei, Xue-Cheng;  Lu, Hong-Xi;  Wang, Jun-Xi;  Zeng, Yi-Ping;  Li, Jin-Min;  Sun, Xue-Jiao;  An, Ping-Bo;  Zhu, Shi-Chao;  Liu, Lei;  Tian, Li-Xin;  Zhang, Feng
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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
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银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：617/100  |  提交时间：2014/10/29