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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hong T (Hong Tao);  Ran GZ (Ran Guang-Zhao);  Chen T (Chen Ting);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang Y (Wang Yang);  Cheng YB (Cheng Yuan-Bing);  Liang S (Liang Song);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Yin LQ (Yin Lu-Qiao);  Zhang JH (Zhang Jian-Hua);  Wang W (Wang Wei);  Qin GG (Qin Guo-Gang);  Hong, T, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail Address: qingg@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y (Guo Yan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Song HP (Song Hua-Ping);  Yang AL (Yang An-Li);  Zheng GL (Zheng Gao-Lin);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Y (Wang Yang);  Qiu YP (Qiu Ying-Ping);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Wang W (Wang Wei);  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyang06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng C (Zeng Chang);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Ji L (Ji Lian);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Cao Q (Cao Qing);  Chong M (Chong Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang H (Wang Hai);  Shi YS (Shi Yong-Sheng);  Liu SY (Liu Su-Ying);  Yang H (Yang Hui);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie YY (Xie Yi-Yang);  Xu C (Xu Chen);  Kan Q (Kan Qiang);  Wang CX (Wang Chun-Xia);  Liu YM (Liu Ying-Ming);  Wang BQ (Wang Bao-Qiang);  Cheng HD (Cheng Hong-Da);  Shen GD (Shen Guang-Di);  Xie, YY, Beijing Univ Technol, Beijing Photoelect Technol Lab, Beijing 100124, Peoples R China. E-mail Address: yiyangxie@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang F;  Xu SJ;  Ning JQ;  Zheng CC;  Zhao DG;  Yang H;  Che CM;  Zhang, F, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji L (Ji Lian);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Zhang LQ (Zhang Li-Qun);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Yang H (Yang Hui);  Ji, L, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jilian@red.semi.ac.cn;  smzhang@red.semi.ac.cn
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