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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tian, T;  Wang, LC;  Guo, EQ;  Liu, ZQ;  Zhan, T;  Guo, JX;  Yi, XY;  Li, J;  Wang, GH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LC (Wang, Liancheng);  Zhang YY (Zhang, Yiyun);  Li X (Li, Xiao);  Liu ZQ (Liu, Zhiqiang);  Guo EQ (Guo, Enqing);  Yi XY (Yi, Xiaoyan);  Wang JX (Wang, Junxi);  Zhu HW (Zhu, Hongwei);  Wang GH (Wang, Guohong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LC (Wang, Liancheng);  Zhang YY (Zhang, Yiyun);  Li X (Li, Xiao);  Liu ZQ (Liu, Zhiqiang);  Guo EQ (Guo, Enqing);  Yi XY (Yi, Xiaoyan);  Wang JX (Wang, Junxi);  Zhu HW (Zhu, Hongwei);  Wang GH (Wang, Guohong)
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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1549/234  |  提交时间：2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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