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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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InAs/GaAs量子点及其中间能带太阳能电池的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  谷永先
Adobe PDF(3102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1278/81  |  提交时间：2012/06/18