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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  顾诠;  王佑祥;  崔玉德;  陈新;  陶琨
Adobe PDF(663Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：859/176  |  提交时间：2010/11/23