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提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈亮;  亢勇;  赵德刚;  李向阳;  龚海梅
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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Yang H;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/342  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1102/336  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Chen J (Chen J.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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