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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH;  Xu ZY;  Luo XD;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Tan, PH, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@cam.ac.uk;  yong_zhang@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Tan PH;  Ge WK;  Luo, XD, Nantong Univ, Sch Sci, Jiangsu Provincial Key Lab Asic Design, Nantong 226007, Peoples R China.
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Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:  Xu ZY;  Luo XD;  Yang XD;  Tan PH;  Yang CL;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Gaas1-xnx  Photoluminescence  Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Tan PH;  Xu ZY;  Ge WK;  Tan PH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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