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具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH;  Xu ZY;  Luo XD;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Tan, PH, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@cam.ac.uk;  yong_zhang@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG;  Wang XX;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Hau J;  Ding L;  Ge WK;  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jianguochang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui XD (Cui Xiao-Dong);  Shen SQ (Shen Shun-Qing);  Li J (Li Jian);  Ji Y (Ji Yang);  Ge WK (Ge Weikun);  Zhang FC (Zhang Fu-Chun);  Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Yang XD;  Sun Z;  Sun BQ;  Ji Y;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK;  Xu, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
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