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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  高鹏;  顾明
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深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  高鹏;  顾明;  刘海军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hujin (Hujin);  Yang, GW (Yang, Guowei);  Wang, SJ (Wang, Shoujue);  Gao, XH (Gao, Xuhui);  Hujin, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intelligent Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址: hj.yt@163.com;  ygw_ustb@163.com;  wsjue@red.semi.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/412  |  提交时间：2010/03/29
Porous Silicon  
An integrated optical receiver in MS/RF CMOS process 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Liu HJ (Liu Haijun);  Xu XS (Xu Xingsheng);  Mao LH (Mao Luhong);  Gao P (Gao Peng);  Chen HD (Chen Hongda);  Liu, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Amplifier  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘海军;  高鹏;  陈弘达;  顾明;  许奇明;  刘金彬;  黄北举
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采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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用于实现光波导制备的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  郜定山;  王红杰;  李建光;  胡雄伟
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：906/155  |  提交时间：2009/06/11
实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/162  |  提交时间：2009/06/11