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低维半导体异质结构中电子隧穿的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  宫箭
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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  林兰英;  何自强;  龚义元;  蔡田海;  郁元桓;  何龙珠;  高秀峰;  王建华;  邓惠芳
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