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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  张志成;  陈诺夫;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚振钰;  贺洪波;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  张建辉;  廖梅勇;  范正修;  秦复光;  王占国;  林兰英
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半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究 成果
1994
主要完成人:  宋春英;  江德生;  钟学富;  葛帷锟
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半绝缘砷化镓  
砷化镓中杂质缺陷的红外研究 成果
1990
主要完成人:  江德生;  宋春英;  葛惟锟;  钟学富;  许振嘉
收藏  |  浏览/下载：1131/0  |  提交时间：2010/04/13
砷化镓