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| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 付英春
 Adobe PDF(2634Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1229/53 | 提交时间：2015/06/03
相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua)
Adobe PDF(2007Kb) | 收藏 | 浏览/下载：845/274 | 提交时间：2013/04/18 |
| 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 付英春
Adobe PDF(5214Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1095/29 | 提交时间：2012/06/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
Adobe PDF(531Kb) | 收藏 | 浏览/下载：3233/1392 | 提交时间：2012/07/17 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
Adobe PDF(396Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1377/249 | 提交时间：2011/08/31 |
| 具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231216.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊莹 ; 韩伟华; 杨富华
Adobe PDF(381Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1168/192 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 张严波; 赵凯; 杨富华
Adobe PDF(580Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1229/221 | 提交时间：2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
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| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
Adobe PDF(847Kb) | 收藏 | 浏览/下载：674/94 | 提交时间：2014/12/25 |
| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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