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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Yang FH (Yang Fu-Hua); Wang LC (Wang Liang-Chen); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Wang LC (Wang Liang-Chen); Yang FH (Yang Fu-Hua); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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