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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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信息光子学物理 专著
北京:北京大学出版社, 2006
作者:  宋菲君;  羊国光;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  李传波;  毛容伟;  左玉华;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  熊飞克;  郭良;  马骁宇;  王树堂;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马骁宇;  王树堂;  熊飞克;  郭良;  王仲明;  曾靖;  王丽明;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  熊飞克;  郭良科;  马骁宇;  杨志鸿;  王树堂;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孔光临;  石知非;  毛自力;  秦国刚
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